GSS同时表示,在浅沟漕隔离(STI)区域中,fin下方有一个高渗杂浓度固定器(doping concentration stopper)。“显然,与传统的块状MOSFET相较,FinFET看起来复杂度要高出许多,”GSS表示。
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doping concentration stopper
掺杂浓度阻滞器
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