divided word-line 分离的字线
In order to improve the performance of the SRAM, array partition, divided word line structure and CMOS positive feedback sense amplifier are adopted.
设计中采用了存储阵列划分、分级字线以及CMOS正反馈差分读出放大器等先进技术，读写速度可达到20ns。
参考来源 - 嵌入式128Kb SRAM的研究与设计·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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