强激光与粒了束 0 延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定 余稳;谭述奇;张飞;张义门;孙晓玮 分析了延迟击穿二极管（DBD，delayed breakdown diode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑，通过改变器件结构参数和物理参数（
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强激光与粒了束 0 延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定 余稳;谭述奇;张飞;张义门;孙晓玮 分析了延迟击穿二极管（DBD，delayed breakdown diode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑，通过改变器件结构参数和物理参数（
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