Deep Sub-micron Technology 因深次微米制程技术
deep sub-micron ic 深亚微米ic
deep sub-micron MOST 深亚微米MOST
Very Deep Sub-Micron 超深亚微米 ; 深亚微米
deep-sub-micron 深亚微米
deep sub micron 深亚微米
deep sub-micron cmos 深亚微米cmos
ultra deep-sub-micron 超深亚微米pmosfet
The model includes the micron and deep sub-micron non-uniform channel DMOS.
它包含微米和深亚微米级DMOS阈值电压模型。
参考来源 - 非均匀沟道DMOS基本参数及其辐照理论的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The hot carrier effects (HCE) in deep sub-micron devices has been studied.
对深亚微米器件中热载流子效应(hce)进行了研究。
A synthesis system of equation-based deep sub-micron cell-level CMOS analog circuit is presented in the paper.
介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统。
We present a novel method, used to build the I-V characteristic equations of the MOSTs in the deep sub-micron circuits.
提供了一种新的方法，用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程。
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