go top

deep reactive ion etching

  • 深反应离子刻蚀:深反应离子刻蚀(DRIE)是一种高各向异性刻蚀过程,用于在芯片/基片中创建深入、陡峭的孔和沟槽,通常具有高纵横比。它最初是为了微机电系统(MEMS)而开发的,这些系统需要这些特征,但也用于挖掘高密度电容器的沟槽,用于DRAM,最近还用于在先进的三维芯片级封装技术中创建通过硅通孔(TSVs)。在DRIE中,将基片放置在反应器内,并引入几种气体。在气体混合物中产生等离子体,将气体分子分解成离子。离子加速并与被刻蚀材料的表面反应,形成另一个气体元素。这被称为反应离子刻蚀的化学部分。还有一个物理部分,如果离子具有足够的能量,它们可以在没有化学反应的情况下将原子从被刻蚀材料中击出。

网络释义专业释义

  深层离子蚀刻技术

钻石游丝是运用DRIE深层离子蚀刻技术(Deep Reactive Ion Etching)与德国GFD公司合作研制。

基于24个网页-相关网页

  深反应离子刻蚀

...仪;悬空硅;深反应离子刻蚀 [gap=883]Keywords: Notching effect;anemometer;suspended silicon;deep reactive ion etching(DRIE) ...

基于18个网页-相关网页

  离子蚀刻技术

...米就有大约2万个注射口,而每个注射口都有大约60至100微米长;研究者利用了一种名为深层离子蚀刻技术(Deep Reactive Ion Etching)制造出了这种新型的纳米贴,该技术能够在电场中有效利用带电离子来选择性地“腐蚀”原料的表面,控制电场和离子就能够进行一种高...

基于14个网页-相关网页

  利用深反应离子蚀刻

...所重用,例如用以制作计算机微型处理器,甚至从硅晶体薄片刻蚀出腕表部份的零件;利用深反应离子蚀刻(deep reactive ion etching, drie)技术,可以制作出微小的硅质机芯零件及保留硅晶体的特性:包括比钢材的硬度高出60%,但较之轻70%,完...

基于4个网页-相关网页

  • 深反应离子刻蚀
  • 深反应离子刻蚀

·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress

双语例句

  • This accelerometer is fabricated by N type silicon wafer. To obtain high aspect ratio structure, deep reactive ion etching(DRIE) process is employed.

    加速度普通的N硅片制造,为了刻蚀高深宽结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE工艺

    youdao

更多双语例句
$firstVoiceSent
- 来自原声例句
小调查
请问您想要如何调整此模块?

感谢您的反馈,我们会尽快进行适当修改!
进来说说原因吧 确定
小调查
请问您想要如何调整此模块?

感谢您的反馈,我们会尽快进行适当修改!
进来说说原因吧 确定