...生应变的原理是利用某些特定的工艺步骤．例如浅槽隔离、硅化反应 （silicidation）、接触孔刻蚀停止层（contact etch stoplayer，CESL）以及锗硅嵌入式源 漏（SiGeS／D）等工艺相关的结构，运用其存在的应力，将其施加于器件上以形成应 ...
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contact etch stoplayer
接触蚀刻存储器
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