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charged device model

件模型

这种形式的放电可用所谓带电器件模型（Charged-Device Model，CDM）来描述。下面以双极型和MOS型半导体器件为例给出静电放电的等效电路。

器件充电模型

...的MM放电电流却比2000V的X-mM放电电流大的多，医此机器放电模型对IC的破坏力更大．1．2．3器件充电模型（Charged-Device Model，CDM）该放电模型是指Ic因磨擦或其他因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未被损伤。

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模型

这种形式的放电可用所谓带电器件模型（Charged-Device Model，CDM）来描述。下面以双极型和MOS型半导体器件为例给出静电放电的等效电路。

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带电器件模型

这种形式的放电可用所谓带电器件模型（Charged-Device Model，CDM）来描述。下面以双极型和MOS型半导体器件为例给出静电放电的等效电路。

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短语

Charged device model 带电装置模型 ; 带电器件模型 ; 电荷器件模型 ; 元件充电模式

Board Level Charged Device Model 即为模块储存电荷模式 ; 储存电荷模式

Chip-Level Charged Device Model 芯片层级组件充电模式 ; 层级组件充电模式

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abstract: The charged-device model (CDM) is a model for characterizing the susceptibility of an electronic device to damage from electrostatic discharge (ESD). The model is an alternative to the human-body model (HBM).

以上来源于: WordNet

These three primary models of ESD events are Human Body Model (HBM), Machine Model (MM), and Charged Device Model (CDM).

这三种基本静电模型是：人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型。

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