中国闪存市场 ron的3D Flash技术采用了可由现有CMOS制造技术及材料制造的薄膜电晶体(TFT)双闸装置。在电荷撷取快闪记忆体(Charge Trap Flash,CTF)单元中,这种架构可彻底消除串列记忆体串的通过扰乱(pass disturbs)。借由这种方法,可对最
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答案就是V-NAND,通过电荷撷取闪存(charge trap flash)技术制造的3D闪存。 三星V-NAND:不再缩小cell单元,堆叠更多层数 三星的V-NAND说起来就是不再追求缩小cell单元,而是通过3D...
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charge-trap flash 电荷撷取快闪记忆体
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