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charge trap flash 添加释义

网络释义英英释义

  电荷撷取闪存

内存技术目前受到的限制可以则运用3D结构克服,例如新的电荷撷取闪存(charge trap flash,CTF)。

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  例如新的电荷撷取闪存

内存技术目前受到的限制可以则运用3D结构克服,例如新的电荷撷取闪存(charge trap flash,CTF)。

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  在电荷撷取快闪记忆体

中国闪存市场 ron的3D Flash技术采用了可由现有CMOS制造技术及材料制造的薄膜电晶体(TFT)双闸装置。在电荷撷取快闪记忆体(Charge Trap Flash,CTF)单元中,这种架构可彻底消除串列记忆体串的通过扰乱(pass disturbs)。借由这种方法,可对最

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  通过电荷撷取闪存

答案就是V-NAND,通过电荷撷取闪存charge trap flash)技术制造的3D闪存。 三星V-NAND:不再缩小cell单元,堆叠更多层数 三星的V-NAND说起来就是不再追求缩小cell单元,而是通过3D...

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短语

charge-trap flash 电荷撷取快闪记忆体

Charge trap flash

  • abstract: Charge Trap Flash (CTF) is a semiconductor memory technology used in creating non-volatile NOR and NAND flash memory. The technology differs from the more conventional floating-gate MOSFET technology in that it uses a silicon nitride film to store electrons rather than the doped polycrystalline silicon typical of a floating gate structure.

以上来源于: WordNet

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- 来自原声例句
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