ESD模型常见的有三种：人体模型（HBN，Human Body model）、充电器件模型（CDM，Charge Device Model）和机器模型（MM，Machine Model），其中以人体模型最为通行。
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在芯片自我防护方面，AZRS3082的充电器件模型(Charge Device Model，CDM)防护能力高达2kV，这使得芯片在因制造工艺不良而累积过多电荷时具有强大的自我保护能力。
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charge device model
充电装置模型
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The electric charge accumulation effect in RTD was introduced. The electrical voltage redistribution along the device as charge accumulated was analysed by sequential tunneling model.
介绍了共振隧穿二极管（RTD）中电荷积累效应，利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布；
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