channel length modulation effect
事实上在饱和区的MOSFET汲极电流会因为 通道长度调变效应 （channel length modulation effect）而改变，并非与且VDS全然无关。考虑通道长度调变效应之后的饱和区电流—电压关系式如下：
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In addition, this model is involved in the velocity saturation effect, mobility degradation effect and channel length modulation effect.
模型中同时考虑了速度饱和效应、迁移率下降效应和沟道长度调制效应等。
youdao
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