channel hot electron injection
这种结构的Flash利用沟道热电子注入(channel hot electron injection, CHEI)效应进行编程，通过F-N隧穿效应进行擦除。
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然而，在我们所熟知的通道热电子注入(Channel Hot Electron Injection)写入方法中，虽可完成单细胞2位元的 操作，却由于其操作电压与理想高注入效率操作区域的 不匹配，难以在低功率消耗中完成多层级时...
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这种结构的Flash利用沟道热电子注入(channel hot electron injection, CHEI)效应进行编程，通过F-N隧穿效应进行擦除。
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这种结构的Flash利用沟道热电子注入(channel hot electron injection, CHEI)效应进行编程，通过F-N隧穿效应进行擦除。
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channel hot electron injection
通道热电子注入
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