引 言 相变型半导体存储器指硫系化合物随机存储器(Chalcogenide Random Access Memory)， 简称 CRAM，又被称作奥弗辛斯基电效应统一存储器，是基于 Ovshinsky 在 20 世纪 60 年代 末提出的奥弗辛斯基电效应的存储器。
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