... carrier concentration 载流子浓度 carrier confinement 载波限制 carrier drift type transistor 漂移型电晶体，载流子漂移型电晶体 ...
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...，活性层疛主要目疛即是 使电子与电洞能在此区复合 （recombination）以产生光子，因此如何增函载子限制（carrier confinement）以提高复合机率，成为活性层设计之主要方向。
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限域性
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参考来源 - 背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响
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