同时发现,对于高-低-高普通炉退火内吸杂工艺,改变氧沉淀形核温度对共掺锗的重掺磷直拉硅片的体微缺陷(Bulk MicroDefect, BMD)密度及洁净区(Denuded Zone, DZ)影响不显著。
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bulk microdefect
大部分microdefect
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