... boron n diffusion 硼扩散 boron n doping 掺硼 boron n implantation 硼离子注入 ...
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boron n doping
硼掺杂
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Both P-type and N-type crystalline si have been doped using arsenic, phosphor and boron. The electrical and opto-electrical characteristics of the doping area are investigated.
型和N型两种硅单晶进行了砷、磷和硼的掺杂，并研究了掺杂区的电和光电特性。
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