...化镓(GaN-on-Silicon)制程技术，如此一来，不仅成本可优于体块式氮化镓(Bulk-GaN)，以矽基氮化镓制成的高电子迁移率电晶体(HEMT)也可比同级的SiC元件便宜50%以上。但即使如此，矽基氮化镓功率元件价格仍是相似矽功率元件的二至三倍以上。
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在微波及毫米波频段里，砷化镓假形 高电子迁移率电晶体 ( GaAs PHEMT )在军事和商业通讯上的应用都是非常重要的三‧五族半导体元件。
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高速电子迁移率电晶体 high electron mobility transistor
高电子迁移率电晶体
High electron mobility transistor
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