high electron mobility transistor
高电子移动性晶体管(HEMT,High Electron Mobility Transistor)可达600 GHz高振荡频率和从微波到毫米波段的超低噪声性能,多级毫米波低噪放大器(LNA,Low ...
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高电子移动性晶体管(HEMT,HighElectron Mobility Transistor)可达600GHz高振荡频率和从微波到毫米波段的超低噪声性能,多级毫米波低噪放大器(LNA,Low N...
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