膜晶体管123 底栅极（bottom gate）的结构或顶栅极（top gate）的结构，在此仅用以说明 并不刻意限制。
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顶栅极底接触 TGBC
顶栅极
Top grid
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栅电介质层和栅极形成在鳍部的顶表面上、相对的侧壁上和鳍部内的凹陷的底部上和相对的侧壁上。
A gate dielectric layer and a gate electrode are formed on the top surface, the opposing sidewalls of the fin and on the bottom and on the opposing sidewalls of the recess in the fin.
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