1_3_m超辐射发光二极管的辐照性能研究 - docin.com豆丁网 晶格 空位，成为材料内部的非辐射复合中心，直接导致载 流子辐射复合发光效率下降，位移损伤用材料吸收 的非电离能损（ Non-ionizing Energy Loss ， NIEL ）来 表征；电离损伤效应为材料中的束缚电子吸收入射 粒子能量，从价带激发到导带形成电子 - 空穴对，导
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...用SHIELD程序进行蒙特卡罗(M-C)模拟,分析了经过屏蔽材料层后在硅材料中产生的能量沉积、非电离能损( Non-Ionizing Energy Losses,NIEL)、透射质子能谱、二次粒子及其能量和核反应生成的核素等计算结果,并进行了屏蔽材料组分和排序的优化选择.
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非电离能损(NIEL)引起的位移损伤效应是空间装置失效的原因之一。
The displacement damage effects due to Non-ionizing Energy Loss (NIEL) is one reason of device-malfunction in Space.
非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素。
The displacement damage due to non-ionizing energy loss (NIEL) is the main reason of device-malfunction in spatial radiation environments.
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