非易失性铁电存储器（FRAM）是一种拥有与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性特性的产品。
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项目中采用非易失性铁电存储器(Ferroelectric Nonvolatile RAM, FRAM)和SD卡作为外部存储设备,这样能够满足汽车行驶记录仪记录车辆信息的实时性、准确性的要求。
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非易失性铁电存储器
Non-volatile ferroelectric memory
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铁电材料的疲劳特性是影响依赖可反转极化工作的电子器件性能的关键，例如非易失性铁电存储器。
Ferroelectric fatigue is much fatal for the electric apparatus based on the switchable polarization, such as non-volatile random access memories (NVFRAM).
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