铁磁薄片的磁化方向可以在外磁场的控制下被独立的切换。如果极化方向平行，那么电子隧穿过绝缘层的可能性会更大，其宏观表现为电阻小；如果极化方向反平行，那么电子隧穿过绝缘层的可能性较小，其宏观表现是电阻极大。因此，这种结可以在两种电阻状态中切换，即高阻态和低阻态。
温度和Co含量对CuCoNi合金快淬薄带磁性和磁电阻效应的影响 1.3.3巨磁电阻效应(gmr，giant magnetoresistance) 1.3.4隧道磁电阻效应(tmr，tunnelmagneto resistance) 1.3.5庞磁电阻效应(cmr，colossal magneto resistance)
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...stance，CMR）；1995年，Moodera等t6J和Miyazaki纠7j分别在纳米磁隧道 结中发现了隧道磁电阻效应（tunnelingmagnetoresistance，TMR）；随后，Fujimori等I 8】 和Milner掣9】在金属一绝缘体颗粒膜中发现了隧道磁电阻；20..
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系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应（TMR）和巨霍耳效应（GHE）。
The microstructure and tunneling magneto-resistance(TMR) as well as the giant Hall effect(GHE) were systematically investigated.
磁性隧道结结构中发现的隧道磁电阻效应（TMR）灵敏度高、结电阻容易调整，在开发新型MRAM方面极具应用潜力。
Tunneling magnetoresistance (TMR) discovered in magnetic tunneling junction (MTJ) has high sensitivity and adjustable junction resistance, so it has potential to be applied in new MRAM devices.
研究MTJ样品的隧道结磁电阻(TMR)效应。
Tunneling magnetoresistance (TMR) effect of MTJ samples has been successfully studied.
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