隧穿场效应晶体管(TFET)是有前景的器件，因为它们由于急剧变化的阈下斜率而有希望产生显著的性能增加和能量消耗降低。
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互补隧穿场效应晶体管 CTFET
隧穿场效应晶体管
Tunneling field-effect transistor
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用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET）隧穿电流的影响。
The effect of neutral trap on tunneling current in ultrathin MOSFETs is investigated by numerical analysis.
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