...可在空穴传输层和阳极之间加上一层调控空穴注入的空穴阻挡层（HoleBlocking Layer，HBL）或称为阳极缓冲层（Anode Buffer Layer）【10，1 l】。
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阳极缓冲层
Anode buffer layer
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模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素。
Simulation results show that the total amount of impurity in the buffer layer or transparent an - ode is the key to determine the on-state voltage drop of GCT device.
youdao
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