GaInNAs
...,采用InP基的InGaAsPVCSEL的进展一直不理想.最近,对开拓1 310 nm带隙新材料的愿望使科学家们赋予传统合金镓铟氮砷(GaInNAs)一种新的应用,即制作VCSEL.GaAs基的GaInNAs是一种极有前途的长波长通信用新材料.GaInNAs/GaAs有着非常好的电子限制,导带差大...
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铟镓砷氮 InGaAsN
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