... 金-硅面垒探测器、Au-Si surface barrier detector 铬硅电阻薄膜、Cr-Si thin film resistor 非晶硅、无定形硅、amorphous silicon α-Si ...
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铬硅电阻薄膜
Chromium-silicon resistance film
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Cr-Si thin film resistor 以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
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