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互补金属氧化物半导体 CMOS ; CMOS Complementary Metal Oxide ; [电子] Complementary Metal Oxide Semiconductor ; complementary metal oxide semiconductor
金属氧化物半导体 MOS ; metal oxide semiconductor ; IGZO
沟道金属氧化物半导体 nmos ; n channel mos ; PMOS ; nchannelmosn
埋沟金属氧化物半导体 bcmos ; buried channel mos
型槽金属氧化物半导体 v groove mos ; vmos ; v groove metal oxide semiconductor
复合金属氧化物半导体 combined metal oxide semiconductor
金属氧化物半导体构造 mos structure
耐熔金属氧化物半导体 refractory mos
垂直金属氧化物半导体 vertical metal oxide semiconductor
在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
一种制造金属氧化物半导体的方法(500)。
A method of manufacturing a metal oxide semiconductor (500).
将金属氧化物半导体的栅极构造蚀刻(510)。
A gate structure of the metal oxide semiconductor is etched (510).
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