...点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点 34 CMOS 互补式金氧半导体 金属氧化膜半导体（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅（或金属）作为闸极，利用家到闸极的电场来控制...
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金属氧化膜半导体
Metal oxide film semiconductor
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利用某些有机烷氧基金属化合物的热分解，可在玻璃、金属、陶瓷或半导体基片上沉积相应的金属氧化物次级发射膜。
A metal-oxide secondary emission film can be deposited on glass, ceramic or semiconductor substrates by thermal decomposition of an organo-metal alkoxide.
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