高达5.8×1020 cm-3的掺杂水平的p型GaAs的金属有机物分子束外延（MOMBE）用碳（C）作为掺杂剂已经被生长。流动性和少数载流子的扩散长度的C-掺杂MOMBE的层相比，在掺杂MBE层。
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金属有机物分子束外延
Metal-organic molecular beam epitaxy
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