量子阱激光器是有源层非常薄,而产生量子尺寸效应的异质结半导体激光器。根据有源区内阱的数目可分为单量子阱和多量子阱激光器。量子阱激光器在阈值电流、温度特性、调制特性、偏振特性等方面都显示出很大的优越性,被誉为理想的半导体激光器,是光电子器件发展的突破口和方向。 2019年,中国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器。
...言GaAs/InGaP异质结构是制备许多高速器件和光电器件如异质结双极晶体管(HBT)、场效应管(FET)、量子阱激光器(quantum-well laser)和光电探测器(photodetector)的重要材料体系。腐蚀是直接影响着后续工艺和最终的器件特性的关键工艺之一。
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如多量子阱激光器 MQW-DFBLD ; MQW-LD
量子阱激光器(LD) quantum-well LD
应变层多量子阱激光器 SLMQW strained layer multiquantum-well laser
压应变量子阱激光器 squeezed strained quantum well laser
量子阱半导体激光器 quantum-well semiconductor laser
量子阱异质结激光器 [激光] quantum well heterojunction laser
量子阱异质结构激光器 quantum-well heterostructure laser
多量子阱半导体激光器 [激光] MQW semiconductor laser
InGaAsP long-wavelength quantum well laser is at present appied most extensively in optical fiber communication. Structuring its circuit model can optimize the design of the optical transmitter and it is significant to design high-qualitied optical communication system.
InGaAsP四元系长波长量子阱激光器是目前在高速光纤通信中应用最为广泛的一类激光源,构建其电路模型有助于完成光发射机的优化设计,这对于高质量的光通信传输系统有非常重要的意义。
参考来源 - InGaAsP/InP量子阱激光器的模型分析The results show that quantum-well laser with a lower threshold carrier density, higher optical output power, shorter photoelectric delay time, higher relaxation oscillation frequency.
结果显示量子阱激光器具有更低的阈值载流子密度,更高的光输出功率,光电延迟时间更短,驰豫振荡频率更高。
参考来源 - 半导体激光器的大信号调制特性研究·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
文中对小信号调制下单量子阱激光器的啁啾特性进行了研究和分析。
In this paper, the chirping characteristics of quantum well laser diodes under small signal modulation are studied.
半导体垂直腔面发射量子阱激光器是当前光电子学领域最活跃的研究课题之一。
Currently quantum well VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) is one of the most active research problems in the field of optoelectronics.
用该系统优化设计了1.5微米应变量子阱激光器与调制器,取得很好结果。
The 1.55 mm strained QW lasers and modulators are optimized and designed by using the design system, and the good results are presented.
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