hydride vapoar phase epitaxy
...0220) 摘要:在低温 HVPE2GaN/ c2Al2 O3 模板上射频溅射 ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延( HVPE,hydride vapoar phase epitaxy) 法外延生长了高质量的 GaN 320μm厚膜。
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...长GaN厚膜 - docin.com豆丁网 00220) 摘要:在低温 HVPE2GaN/ c2Al2 O3 模板上射频溅射 ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延( HVPE,hydride vapoar phase epitaxy) 法外延生长了高质量的 GaN 320μm厚膜。
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