1988年Amano等人［9】首先通过低能电子束辐照（IEEBI），实现了掺Mg的GaN样品表面的口型化，随后Nak锄um小组［1川采用热退火处理技术，更好更方便地实现了掺Mg的GaN样品的p型化。
基于12个网页-相关网页
通过低能电子束辐照
Irradiation by a low energy electron beam
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动