利用二硅乙烷(Si2H6)或三硅丙烷(Si3H8)作为一第一反应气体，进行减压化学气相沉积(reduced pressure CVD，RPCVD)以在一基底上依序沉积一渐进(step-graded)硅锗缓冲层及一硅锗上盖层。
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进行减压化学气相沉积
Carry out vacuum chemical vapor deposition
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