载流子注入是指半导体通过外界作用而产生非平衡载流子的过程称作载流子注入。利用光照在半导体内引入非平载流子的方法称为载流子的光注入。除光外,还可以利用电的或其他能量传递方式半导体中注入载流子,最常用的是电的方住作载流子电注入。
...利用硅的受激 喇曼散射(Stimulated Raman Scattering)效应实现基于硅材料的发光n21,以及 利用载流子注入(Carrier Injection)的方式来实现对光信号的调制『131。
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研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,...
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本文提出了一种新的多晶硅发射区少数载流子注入理论。
A new theory about minority carrier injection into polysilicon emitter has been proposed in this paper.
基于全内反射原理和光生载流子注入效应,研究了一种Y分叉全内反射型全光开关。
Based on the theory of total internal reflection (TIR) and injection effect of photo-induced carriers, a Y-branching TIR all-optical switch is fabricated.
本文通过衬底热载流子注入技术,研究了热载流子增强的超薄栅氧化层TDDB效应。
Hot-carrier enhanced TDDB effect of ultra-thin gate oxide is investigated by using substrate hot-carrier injection technique.
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