多晶锗（聚-Ge）的由超高真空化学汽相淀积（UHVCVD）超过氧化物在低的温度（Tles450degC）的壁垒，非晶Si（的a-Si）上生长具有较大的晶粒尺寸和较低的缺陷密度比生长聚-戈旁边的氧化...
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超高真空化学汽相淀积
Ultra-high vacuum chemical vapor deposition
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