...等离子体）工艺模块将用于刻蚀集成无源器件，而Omega i2L DSi（硅深槽刻蚀）模块将用于贯穿晶圆的通孔（through-wafer via, TWV）刻蚀，以生产下一代3D堆叠芯片。这套设备将安装于日月光在台湾高雄的旗舰工厂。
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...应耦合等离子体）工艺模块将用于刻蚀集成无源器件，而Omega i2L DSi（硅深槽刻蚀）模块将用于贯穿晶圆的通孔（through-wafer via, TWV）刻蚀，以生产下一代3D堆叠芯片。这套设备将安装于日月光在台湾高雄的旗舰工厂。
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