... l process to improve programming of memory cells] 本发明提供在半导体衬底表面上利用浅沟槽绝缘(shallow trench isolation，STI)结构来凸伸一阶梯高度，以使彼此绝缘的制造方法。
基于4个网页-相关网页
...rocess to improve programming of memory cells] 本发明提供在半导体衬底表面上利用浅沟槽绝缘(shallow trench isolation，STI)结构来凸伸一阶梯高度，以使彼此绝缘的制造方法。
基于2个网页-相关网页