分别介绍采用薄膜绝缘体上硅(TFSOI)的0.5μmCMOS工艺的设计和制造,全耗散SOI的可制造性,采用高架源/漏结构的高性能亚微米SOI/CMOS,具有亚10nm总厚度变化(TTV)的采用...
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薄膜绝缘体上硅
Silicon on thin-film insulators
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