从薄膜积累型（TF AM）SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发，对其在-5.0v背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析，推导...
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薄膜积累型
Film accumulation type
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