（2）滤波器和FBAR（薄膜体声谐振器）：这一类器件主要是利用薄膜的声波振 动原理．可以在3GHz附近表现出优异的射频性能和高Q值。
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RF芯片集用Agilent的第二代伪高电子迁移率晶体管(PHEMT)、高级双极硅及其薄膜体声谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)工艺实现密封解决方案,在误帧率低于1%时,灵敏度为106.5dBm。
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薄膜体声波谐振器 FBAR ; Film Bulk Acoustic Resonator
高模薄膜体声波谐振器 HBAR
薄膜体声谐振器
Thin-film bulk acoustic resonator
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为了模拟薄膜声体波谐振器(FBAR)的电磁场(EM)分布特性，提出了一种新的FBAR建模方法。
For simulating the electromagnetic (EM) distribution of thin film bulk acoustic resonators (FBAR), a new FBAR modelling method was proposed.
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