...出晶圆专工业界第一个全功能28奈米制程SRAM（静态随机存取记忆体）晶片，此晶片是建立于联华电子自行开发的低漏电（low-leakage, LL）制程之上。
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...圆专工业界第一个全功能28纳米制程SRAM（静态随机存取记忆体）晶片，此晶片是建立于联华电子自行开发的低漏电（low-leakage, LL）制程之上。
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自行开发的低漏电
Self-developed low leakage current
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