耗尽区是指在半导体pn结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降的界面区域。
... Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 Depletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 Deposition process 淀积工艺 ...
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... depletion mode operation 耗尽型动作 depletion mode region 耗尽区 depletion most 耗尽型金属氧化物半导体晶体管 ...
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耗尽区离子注入 depletion implantation
The degradation of the electrical characteristics in SiC pn junctions irradiated by neutron is attributed to the recombination centers and the electric field effect on the thermal emission of traps within the depletion region.
提出了中子辐照下SiC pn结电特性退化的新的理论，pn结耗尽区中的辐照陷阶在耗尽区电场的作用下热发射效应得到加强，从而导致pn结正偏和反偏时的复合电流和产生电流的改变。
参考来源 - SiC材料和器件特性及其辐照效应的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
利用本发明的方法，通过外延层的掺杂浓度来调节以增加耗尽区的展宽，可进一步提高光子吸收效率。
By utilizing the method, the doping concentration of the epitaxial layer is regulated to increase the widening of the depletion region so as to further improve the photon absorption efficiency.
提出了热及电场诱导的多载流子模型，在完全耗尽近似下，得出了耗尽区厚度和电场强度的计算公式。
Under the approximation of the full depletion, the calculating formulas for the width and electrical field of depletion region are obtained.
光电流谱峰与激发光谱峰的斯塔克位移提供了多量子阱中电场分布的信息，并证明了耗尽区模型的正确性。
The Starkshift of PC peaks relative to ple ones gives a clear indication to the distribution of electricfield in MQW region and the validity of depletion model.
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