...杂系统控制理论及应用重点实验室 天津300384 摘要： 提出了一种考虑绝缘栅极双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）基区载流子不同注入条件的物理模型.
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绝缘栅极双极性晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor
绝缘栅极双极型晶体管 Isolated Gate Bipolar Transistor
绝缘栅极双极晶体管
Insulated gate bipolar transistor
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