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绝缘栅场效应管

网络释义

  IGFET

其它绝缘栅场效应管 PMOS管 1.4.2 绝缘栅场效应管(IGFET) 121 饱和漏极电流I DSS : u GS =0时的i D 值 夹断电压U GS(off) : i D 0时的u GS 值 开启电压U GS(th) : 增强型管刚开始导电时...

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  MISFET

硅量子点,光电集成(OEIC),绝缘栅场效应管(MISFET),磷化铟(InP),减压化学汽相淀积,光学吸收发射谱,光学增益,量子线,GaN,有效质量理论,量子阱,InGaN,MISFET,自然形成,..

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  insulated gate field-effect-transistor

... Pad衬底 IGFET insulated gate field-effect-transistor绝缘栅场效应管 Depletion耗尽型 ...

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短语

绝缘栅场效应晶体管 [电子] insulated gate field effect transistor ; IGFET ; [电子] isolated gate fet ; MOSFET

绝缘栅型场效应管 IGFET ; JGFET ; Metal Oxide Semiconductor FET

硅绝缘栅场效应晶体管 silicon insulated gate fet

和绝缘栅型场效应管 Metal Oxide Semieonductor ; MOS

双绝缘栅场效应晶体管 dual insulated-gate field-effect transistor

 更多收起网络短语

有道翻译

绝缘栅场效应管

Insulated gate field-effect transistor

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百科

绝缘栅场效应管

绝缘栅场效应管的种类较多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管,通常用MOS表示,简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗(可达1012Ω以上),并且制造工艺比较简单,使用灵活方便,非常有利于高度集成化。

详细内容

以上来源于: 百度百科
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