绝缘栅场效应晶体管(insulated gate field effect transistor)
...导电类型的掺杂剂。第一导电类型可以是p型并且第二导电类型可以是n型，或反之亦然。众所周知，取决于源极和漏极区域的掺杂类型或极性，绝缘栅场效应晶体管（IGFET），例如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），可以是n沟道或p沟道MOSFET。
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绝缘栅场效应晶体管(insulated gate field effect transistor)
insulated gate field effect transistor
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