该研究对于研发面向22nm微电子技术节点的高迁移率SOI基材料，包括绝缘体上的应变硅（sSOI），绝缘体上的锗（GOI）以及绝缘体上的III-V族材料（III-VOI）具有指导意义。
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绝缘体上的锗硅技术 SiGe on Insulator ; SGOI
绝缘体上的硅锗 SGOI ; SiGe-on-insulator
绝缘体上的锗
Germanium on insulators
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