...栅极直接沟道泄漏电流 (IG) 主要 高k金属逻辑门(HKMG) 栅极感应栅极泄漏电流 (IGIDL) 小 掺杂参数优化 反向偏压结泄漏电流 (IREV) 可忽略 掺杂参数优化 同时，晶体管电路的最基本单元——走线，也成为一个问题。
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结泄漏电流
Junction leakage current
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最后，我们的模拟发现，普通soi结构SBSD - MOSFET能有效阻挡来自源结的热电子发射泄漏电流，但仍不能阻挡来自漏结的隧穿泄漏电流。
Finally, our simulation result shows that conventional SOI SBSD-MOSFET can effectively suppress thermionic emission leakage current, but it still can not suppress tunneling leakage current.
youdao
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