2005年，韩国忠北国立大学基础科学研究院物理系Yuanping Sun等人 [39] 生长出无裂纹的 GaN/ InGaN多量子阱 纳米棒阵列 （ NRAs ），研究结果表明，载流子被束缚在量子阱内而不 受阱外非辐射复合的影响，并推断，由于纳米棒内部非辐射复合中心的急剧减少等原因...
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ZnO纳米棒阵列 ZnO nanorod arrays
Transparent and compact ZnO nanorod array films were successfully prepared on ITO substrate using a potentiostatic electrodeposition method in simple zinc nitrate solution by adding hexamethylenetetramine(HMT) as shape control agents.
采用控制阴极恒电位电沉积技术,在简单的Zn(NO3)2溶液中,利用六亚甲基四胺(Hexamethylenetetramine, HMT)作为形貌控制试剂,直接在ITO导电衬底上制备出透明致密的ZnO纳米棒阵列膜。
参考来源 - 纳米ZnO及掺杂La的ZnO/La（OH）·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
氧化锌纳米棒阵列最初是在FTO玻璃上通过水热法制备出基体后通过超声波生长出棒中筒纳米结构。
The ZnO nanorod arrays grow firstly on FTO glass through a hydrothermal process and then act as templates for the fabrication of rod-in-tube nano-architectures during ultrasonication.
在特定的反应条件下，这些纳米棒自发聚集成大面积的取向阵列。
Large area self-organized oriented array of the nanorods was obtained under specific experimental conditions.
垂直排列的氧化锌棒中筒纳米结构阵列是通过两个步骤制备而得的，其中包括一个初始水热反应以及超声增长反应。
Vertically aligned hierarchical ZnO rod-in-tube nano-architecture arrays are produced via a two-step process including an initial hydrothermal reaction followed by ultrasonication growth.
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