...基础上，进一步改进理论模型：同时考虑沟道区及垒区存在自由应变时对半导体物理参数的调制作用，以及运用简化相干势近似（SCPA）计算II一Ⅵ族三元混晶效应，讨论Cd组分、电子面密度的改变对电子本征态的影响．结果显示，随着Cd组分的增大，能级和能级间距增大...
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简化相干势近似
Simplify the coherent potential approximation
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