PCVD ; plasma chemical vapor deposition
...D处理技术同其他技术的比较【201:目前,工件表面改性的方法主要有物理气相沉积(PVD),化学气相沉积(CVD),等离子化学气相沉积(PCVD),TD处理技术等。PCVD法具有工件变形小、处理温度低的优点,但由于覆层与基体的结合力较差,从而难以发挥表面覆层的性能优势。
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等离子化学气相沉积（PEVCD）：PEVCD被使用来在硅片上沉积氮化硅材料，是在400℃的温度下通过物理化学反应产生SiNx:H的过程。
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等离子化学气相沉积
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等离子体化学气相沉积 PCVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; plasma cvd
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