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等电子陷阱

网络释义专业释义

  [物] isoelectronic trap

,他们通过对不同N含量 以及选择激发下的GaN(As,P)中N的等电子陷阱isoelectronic trap)的光谱变化,观察到当N含量很低 时,N是以等电子陷阱的形式存在于材料中,随N含 量的增加,NN对(NN。

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  • isoelectronic impurity - 引用次数:1

    参考来源 - 重氮掺杂GaP中NN3束缚激子与声子的耦合 Exciton
    isoelectronic trap

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百科

等电子陷阱

固体中的等电子杂质以短程作用为主的俘获电子或空穴所形成的束缚态。所谓等电子杂质系指与点阵中被替代的原子处于周期表中同一族的其他原子。例如 GaP中取代P位的N或Bi原子。等电子杂质本身是电中性的,但由于它与被替代的原子有不同的电负性和原子半径,这些差异会产生以短程作用为主的杂质势,可以俘获电子(或空穴)。当这种杂质势的绝对值大于电子(或空穴)所处的能带的平均带宽或电子的有效“动能”时,能带中的电子(或空穴)便可能被等电子杂质所俘获并造成电子(或空穴)束缚态。相对于点阵原子而言,通常电负性大的等电子杂质形成电子束缚态,反之形成空穴束缚态。前者又称等电子受主,后者为等电子施主。这是两种最基本的等电子陷阱。

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